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2N658晶体管资料

  • 2N658别名:2N658三极管、2N658晶体管、2N658晶体三极管

  • 2N658生产厂家:CSR_美国电子晶体管公司_美国得克萨斯仪表公司

  • 2N658制作材料:Ge-PNP

  • 2N658性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 2N658封装形式:直插封装

  • 2N658极限工作电压:25V

  • 2N658最大电流允许值:1A

  • 2N658最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2N658引脚数:3

  • 2N658最大耗散功率:0.2W

  • 2N658放大倍数

  • 2N658图片代号:D-9

  • 2N658vtest:25

  • 2N658htest:999900

  • 2N658atest:1

  • 2N658wtest:0.2

  • 2N658代换 2N658用什么型号代替:AC128,AC153,AC188,AC193,2N1190,2SB405,3AK61,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N658

GERMANIUM PNPSMALL SIGNAL TRANSISTORS

GERMANIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N658

GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS

GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS

AMMSEMI

2N658

Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • High Voltage,High Speed • Low Saturation Voltage • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 450V(Min) APPLICATIONS • Off-line power supplies • Switching amplifiers • Inverters/Converters • Motor speed control circuits • Switching r

ISC

无锡固电

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 400V(Min) • High Current Capability • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5 V(Max)@ IC = 10A • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

SI NPN POWER BJT

Description: Si NPN Power BJT, I(C) = 10 A to 19.9 A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:143.6 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

文件:11.3 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:274.05 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

封装/外壳:TO-204AA,TO-3 包装:散装 描述:POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MICROCHIP

微芯科技

PNP Transistor

MICROCHIP

微芯科技

封装/外壳:TO-204AA,TO-3 包装:散装 描述:POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MICROCHIP

微芯科技

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

文件:11.3 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:274.28 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Trans GP BJT NPN 350V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N658产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Transition Frequency:

    200MHz

  • Maximum Power Dissipation:

    625mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum DC Collector Current:

    0.5A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    350V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.3@1mA@10mA

  • Maximum Collector Base Voltage:

    350V

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Small Signal

更新时间:2026-5-15 18:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOTOROLA/摩托罗拉
25+
TO-3
45000
MOTOROLA/摩托罗拉全新现货2N6583即刻询购立享优惠#长期有排单订
MOT
24+
CAN3
4326
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
MOTOROLA/摩托罗拉
25+
MODULE
155
主打螺丝模块系列
24+
TO-3
10000
全新
MOT
2023+
CAN
50000
全新原装现货
JH(晶恒)
2447
ITO-220
105000
1000个/盒一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长
ON
23+
原厂正规渠道
5000
专注配单,只做原装进口现货
MOTOROLA/摩托罗拉
专业铁帽
CAN3
1200
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
UTC/友顺
2022+
TO-252T
8000
只做原装支持实单,有单必成。
MOTOROLA
24+
CAN3
1000
原装现货假一罚十

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