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2N6581晶体管资料

  • 2N6581别名：2N6581三极管、2N6581晶体管、2N6581晶体三极管

  • 2N6581生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司

  • 2N6581制作材料：Si-NPN

  • 2N6581性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2N6581封装形式：直插封装

  • 2N6581极限工作电压：550V

  • 2N6581最大电流允许值：10A

  • 2N6581最大工作频率：>25MHZ

  • 2N6581引脚数：2

  • 2N6581最大耗散功率：125W

  • 2N6581放大倍数：

  • 2N6581图片代号：E-44

  • 2N6581vtest：550

  • 2N6581htest：25000100

  • 2N6581atest：10

  • 2N6581wtest：125

  • 2N6581代换 2N6581用什么型号代替：BUW25,BUW26,BUW35,BUW36,BUX25,2SC3046,3DK309D,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N6581

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • High Voltage,High Speed • Low Saturation Voltage • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 450V(Min) APPLICATIONS • Off-line power supplies • Switching amplifiers • Inverters/Converters • Motor speed control circuits • Switching r

ISC

无锡固电

2N6581

封装/外壳：TO-204AA，TO-3 包装：散装 描述：POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MICROCHIP

微芯科技

2N6581

Trans GP BJT NPN 450V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N6581

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

文件：11.3 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

SF_2N6581

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

文件：11.3 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

2N6581产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Power Dissipation：

    125000mW

  • Maximum DC Collector Current：

    10A

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    450V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：

    1.5@0.5mA@3mAV

  • Configuration：

    Single

  • Category：

    Bipolar Power

2N6581供应商更多...

更新时间：2026-5-14 16:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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