型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N6520BU

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 包装:带盒(TB) 描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNandPNP Features •VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors •Pb−FreePackageisAvailable*

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR

FEATURES *350VoltVCEO *Gainof15atIC=-100mA

Zetex

Zetex Semiconductors

Zetex

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

HIGHVOLTAGETRANSISTOR

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

PNPEpitaxialSiliconTransistor

Features •HighVoltageTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCBO=-350V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW •Complementto2N6517

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HighVoltageTransistor625mW

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •VoltageandCurrentarenegativeforPNPtrans

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

2N6520BU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6520BU

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-5-23 15:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
mot
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行业低价,代理渠道
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只做进口原装现货!假一赔十!
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现货,原厂原装假一罚十!
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