型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTORS

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

PNPEpitaxialSiliconTransistor

HighVoltageTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCEO=-300V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HighVoltageTransistor625mW

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •VoltageandCurrentarenegativeforPNPtrans

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS

NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS HIGHVOLTAGETRANSISTORS

CDIL

Continental Device India Limited

CDIL

HighVoltageTransistor625mW

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MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

2N6519TA_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6519TA_Q

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-5-21 18:34:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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