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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

Samsung

三星

PNP Epitaxial Silicon Transistor

High Voltage Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCEO= -250V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW • Complement to 2N6515

Fairchild

仙童半导体

COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6515, 2N6518 series devices are complementary silicon transistors designed for high voltage driver and amplifier applications.

Central

更新时间:2025-12-31 18:18:01
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