型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO= 300V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW

Samsung

三星

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

CDIL

COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6515, 2N6518 series devices are complementary silicon transistors designed for high voltage driver and amplifier applications.

Central

2N6516BU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6516BU

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT TO-92

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-23 11:26:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
长电
24+
TO-92
9000
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TRANSNPNSSGP350VTO92
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718

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