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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N6426G

Darlington Transistors NPN Silicon

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ONSEMI

安森美半导体

2N6426G

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 包装:管件 描述:TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

NPN Darlington Transistor

This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics.

FAIRCHILD

仙童半导体

Darlington Transistors(NPN Silicon)

Darlington Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available** • Device Marking: Device Type, e.g., 2N6426, Date Code

ONSEMI

安森美半导体

Darlington Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

Darlington Transistors NPN Silicon

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ONSEMI

安森美半导体

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description Darlington Transistor

HSMC

华昕

2N6426G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6426G

  • 功能描述

    达林顿晶体管 500mA 50V NPN

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-8-3 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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