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Darlington Transistors(NPN Silicon)

Darlington Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available** • Device Marking: Device Type, e.g., 2N6426, Date Code

ONSEMI

安森美半导体

NPN Darlington Transistor

This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics.

FAIRCHILD

仙童半导体

Darlington Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

Darlington Transistors NPN Silicon

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ONSEMI

安森美半导体

NPN Darlington Transistor

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FAIRCHILD

仙童半导体

2N6426_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6426_Q

  • 功能描述

    达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-1-28 11:17:02
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