2N5961晶体管资料

  • 2N5961别名:2N5961三极管、2N5961晶体管、2N5961晶体三极管

  • 2N5961生产厂家:美国范恰得公司

  • 2N5961制作材料:Si-NPN

  • 2N5961性质:通用型 (Uni)_低噪放大 (ra)

  • 2N5961封装形式:直插封装

  • 2N5961极限工作电压:60V

  • 2N5961最大电流允许值:0.05A

  • 2N5961最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2N5961引脚数:3

  • 2N5961最大耗散功率:0.625W

  • 2N5961放大倍数:β>150

  • 2N5961图片代号:A-31

  • 2N5961vtest:60

  • 2N5961htest:999900

  • 2N5961atest:0.05

  • 2N5961wtest:0.625

  • 2N5961代换 2N5961用什么型号代替:BC174,BC182,BC190,BC546,3DG110C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N5961

NPN General Purpose Amplifier

NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as low noise, high gain, general purpose amplifiers requiring collector currents to 50 mA. Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics.

Fairchild

仙童半导体

2N5961

NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5961 Series types are Epoxy Molded Silicon NPN Transistors manufactured by the epitaxial Planar Process designed for applications requiring extremely high gain (hFE) and low noise.

Central

2N5961

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 包装:管件 描述:TRANS NPN 60V 0.1A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2N5961

Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise

Central

2N5961

NPN General Purpose Amplifier

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:散装 描述:TRANS NPN 60V 0.1A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2N5961产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5961

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Low Lvl SW

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-25 21:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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