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2N5961中文资料

厂家型号

2N5961

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1

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR

两极晶体管 - BJT NPN Low Lvl SW

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

2N5961数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5961 Series types are Epoxy Molded Silicon NPN Transistors manufactured by the epitaxial Planar Process designed for applications requiring extremely high gain (hFE) and low noise.

2N5961产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5961

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Low Lvl SW

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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