2N5819晶体管资料

  • 2N5819别名:2N5819三极管、2N5819晶体管、2N5819晶体三极管

  • 2N5819生产厂家:美国通用电器公司_SEM_美国史普拉各电气公司

  • 2N5819制作材料:Si-PNP

  • 2N5819性质:低频或音频放大 (LF)_TR

  • 2N5819封装形式:直插封装

  • 2N5819极限工作电压:50V

  • 2N5819最大电流允许值:0.75A

  • 2N5819最大工作频率:>135MHZ

  • 2N5819引脚数:3

  • 2N5819最大耗散功率:0.5W

  • 2N5819放大倍数:β>150

  • 2N5819图片代号:A-23

  • 2N5819vtest:50

  • 2N5819htest:135000100

  • 2N5819atest:0.75

  • 2N5819wtest:0.5

  • 2N5819代换 2N5819用什么型号代替:BC297,BC327,BC636,BC638,BC640,BC727,3CK10E,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N5819

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

MICRO-ELECTRONICS

2N5819

BJTS, SI PNP LO-PWR

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS TO-92-18R CASE

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N5819

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS TO-92-18R CASE

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N5819产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5819

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Med Power

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-9 19:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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