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2N5819中文资料

厂家型号

2N5819

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功能描述

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

两极晶体管 - BJT PNP Med Power

数据手册

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生产厂商

MICRO-ELECTRONICS

2N5819数据手册规格书PDF详情

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

2N5819产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5819

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Med Power

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-12 9:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CENTRALSE
NA
16355
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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