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位置：首页 > IC中文资料第533页 > 2N5401NLBU

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N5401NLBU

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 包装：带盒（TB） 描述：TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N5401

AmplifierTransistor(PNPSilicon)

PNPSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
2N5401

PNPhigh-voltagetransistor

DESCRIPTION PNPhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPNcomplement:2N5551. FEATURES •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.150V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Telephonyapplications.

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

2N5401

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

AMPLIFIERTRANSISTOR ●Collector-EmitterVoltage:VCEO=150V ●CollectorDissipation:Pc(max)=625mW

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung
2N5401

PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications???

PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications

SEMTECHSemtech Corporation

升特

SEMTECH
2N5401

PNPGeneralPurposeAmplifier

PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.SourcedfromProcess74.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

2N5401NLBU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5401NLBU

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2N5401NLBU供应商更多...

更新时间：2025-6-4 10:17:00
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