位置:首页 > IC中文资料 > 2N5400G

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N5400G

Amplifier Transistors PNP Silicon

Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available*

ONSEMI

安森美半导体

2N5400G

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 包装:管件 描述:TRANS PNP 120V 0.6A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2N5400G

Small Signal Transistor

CITC

竹懋科技

Amplifier Transistor(PNP Silicon)

PNP Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications???

PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications

SEMTECH

先之科

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

AMPLIFIER TRANSISTOR • Collector-Base Voltage : VCEO = 120 V • Collector Dissipation : PC(max) = 625 mW

SAMSUNG

三星

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES • High Collector Breakdwon Voltage : VCBO=-130V, VCEO=-120V • Low Leakage Current. : ICBO=-100nA(Max.) @VCB=-100V • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=-0.5V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA • Low Noise : NF=8dB (Max.)

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES • High Collector Breakdwon Voltage : VCBO=-130V, VCEO=-120V • Low Leakage Current. : ICBO=-100nA(Max.) @VCB=-100V • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=-0.5V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA • Low Noise : N

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

2N5400G产品属性

  • 类型

    描述

  • VCBO(V):

    -130.0

  • VCEO(V):

    -120

  • VEBO(V):

    -5

  • IC (mA):

    -600

  • PD (mW):

    625

  • Package:

    SOT-163

更新时间:2026-5-18 15:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
2023+
TO-92
3939
原厂全新正品旗舰店优势现货
onsemi
25+
TO-92(TO-226)
18746
样件支持,可原厂排单订货!
onsemi
25+
TO-92(TO-226)
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
on
25+
500000
行业低价,代理渠道
ON/安森美
23+
TO-92-GP
24939
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详

2N5400G数据表相关新闻