型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N4403RLRAG

General Purpose Transistors

PNP silicon planar epitaxial transistor Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current − Continuous IC 600 mAdc

ONSEMI

安森美半导体

2N4403RLRAG

General Purpose Transistors PNP Silicon

文件:118.38 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4403RLRAG

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线) 包装:管件 描述:TRANS PNP 40V 0.6A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

PNP EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR?

PNP EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR General purpose transistor

SEMTECH

先之科

PNP General Purpose Amplifier

Description This device is designed for use as a general-purpose amplifier and switch for collector currents to 500 mA.

FAIRCHILD

仙童半导体

General Purpose Transistors(PNP Silicon)

文件:297.77 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP)

文件:98.27 Kbytes Page:3 Pages

GE

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description The H2N4403 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features • Complementary to H2N4401 • High Power Dissipation : 625mW at 25°C • High DC Current Gain : 100-300 at 150mA • High Breakdown Voltage : 40V Min.

HSMC

华昕

2N4403RLRAG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N4403RLRAG

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-3-16 17:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
26+
NA
60000
只有原装 可配单
ON/安森美
2223+
TO-92
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
ON
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TO-92
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TO-92
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SOP3.9mm
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ON
24+
TO-92
3000
全新原装环保现货

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