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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N4401RLRMG

General Purpose Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

2N4401RLRMG

General Purpose Transistors NPN Silicon

文件:131.15 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4401RLRMG

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线) 包装:管件 描述:TRANS NPN 40V 0.6A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

NPN General Purpose Amplifier

This device is designed for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA.

FAIRCHILD

仙童半导体

General Purpose Transistors(NPN Silicon)

General Purpose Transistors NPN Silicon

ONSEMI

安森美半导体

NPN switching transistor

DESCRIPTION NPN switching transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complement: 2N4403. FEATURES • High current (max. 600 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Industrial and consumer switching applications.

PHILIPS

飞利浦

NPN EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

General Purpose Transistor Collector Emitter Voltage: VCEO = 40V Collector Dissiption: Pc(max) = 625mW

SEMTECH

先之科

NPN Medium Power Transistor

• Features 1) BVCEO>40V (IC=1mA) 2) Complements the UMT4403 / SST4403 / MMST4403 / PN4403.

ROHM

罗姆

2N4401RLRMG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N4401RLRMG

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 600mA 60V NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-5-22 11:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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