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2N4232晶体管资料
2N4232别名：2N4232三极管、2N4232晶体管、2N4232晶体三极管
2N4232生产厂家：美国、法国费兰第有限公司
2N4232制作材料：Si-NPN
2N4232性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
2N4232封装形式：直插封装
2N4232极限工作电压：70V
2N4232最大电流允许值：3A
2N4232最大工作频率：>4MHZ
2N4232引脚数：2
2N4232最大耗散功率：35W
2N4232放大倍数：
2N4232图片代号：E-44
2N4232vtest：70
2N4232htest：4000100
- 2N4232atest：3
2N4232wtest：35
2N4232代换 2N4232用什么型号代替：BD241A,BD243B,BD537,BD539B,BD599,BD609,2N305A,3DD30A,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2N4232 | PowerTransistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 |  |   |
2N4232 | PowerTransistors PowerTransistors | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | |
2N4232 | 包装：散装 描述：POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司 |  | |
2N4232 | BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO66MetalPackage 文件：11.91 Kbytes Page：1 Pages | SEME-LAB Seme LAB |  | |
POWERTRANSISTORS(5A,75W) COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0. | MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司 |  | | |
COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0. | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司 |  | | |
BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO66 BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO66MetalPackage. BipolarNPNDevice. VCEO=60V IC=5A | SEME-LAB Seme LAB | | | |
PowerTransistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | | | |
COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  | | |
COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | | | |
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation. APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 文件：344.67 Kbytes Page：2 Pages | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | | | |
包装：散装 描述：PNP TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司 | | |
2N4232产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N4232
- 制造商
Motorola
- 功能描述
2N4232 MOT
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
TO-39 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
|||
CENTRAL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
ASI |
24+ |
TO-02 |
66800 |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力！ |
|||
CENTRAL |
1323+ |
CAN3 |
61 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ASI |
QQ咨询 |
TO-02 |
226 |
全新原装 研究所指定供货商 |
|||
8836 |
3 |
公司优势库存 热卖中! |
|||||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
2048+ |
TO-3 |
9851 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
NES |
新 |
15 |
全新原装 货期两周 |
||||
24+ |
TO-66 |
10000 |
全新 |
||||
24+ |
长期备有现货 |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
2N4232芯片相关品牌
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2N4232参数引脚图相关
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2019-7-17
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