2N3055(E,H,S,U,)晶体管资料

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  • 2N3055(E,H,S,U,)制作材料:Si-NPN

  • 2N3055(E,H,S,U,)性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2N3055(E,H,S,U,)封装形式:直插封装

  • 2N3055(E,H,S,U,)极限工作电压:100V

  • 2N3055(E,H,S,U,)最大电流允许值:15A

  • 2N3055(E,H,S,U,)最大工作频率:>2.5MHZ

  • 2N3055(E,H,S,U,)引脚数:3

  • 2N3055(E,H,S,U,)最大耗散功率:115W

  • 2N3055(E,H,S,U,)放大倍数

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS115WATTS

15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS115WATTS 2N3055(NPN)MJ2955(PNP) designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications. 1.DCCurrentGain—hFE=20–70@IC=4Adc 2.Collector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4Adc

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

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15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60,120VOLTS115,180WATTS

15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60,120VOLTS115,180WATTS ...PowerBasecomplementarytransistorsdesignedforhighpoweraudio,steppingmotorandotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircuitssuchasrelayorsolenoiddrivers,d

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

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COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

Description Thedevicesaremanufacturedinepitaxial-baseplanartechnologyandaresuitableforaudio,powerlinearandswitchingapplications. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■ComplementaryNPN-PNPtransistors Applications ■Generalpurpose ■Audi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

NPNTRANSISTORFORPOWERFULAFOUTPUTSTAGES

NPNTransistorforPowerfulAFOutputStage 2N3055isasinglediffusedNPNsilicontransistorinTO3case(3A2DIN41872).Thecollectoriselectricallyconnectedtothecase.ThetransistorisparticularlysuitableforuseinpowerfulAFoutputstagesandinstabilizedpowersupplyunits.

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS

POWERTRANSISTORS(15A,50V,115W)

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MOSPEC

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更新时间:2024-4-25 22:50:02
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