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SiCSchottkyBarrierDiode

Applications •PowerFactorCorrection •SolarInverters •UninterruptiblePowerSupplies •DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=6.5nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=0.2μA(typ

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SiCSchottkyBarrierDiode

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-8-2 15:17:01
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