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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 60 W, 2110 ??2170 MHz

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INFINEON

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 60 W, 2110 ??2170 MHz

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INFINEON

英飞凌

更新时间:2026-5-24 10:02:01
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INF
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Infineon(英飞凌)
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