| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
60V, 10A Half Bridge Power MOSFET Array Description The HIP2060 is a power half-bridge MOSFET array that consists of two matched N-Channel enhancement-mode MOS transistors. The advanced Intersil PASIC2 process technology used in this product utilizes efficient geometries that provides outstanding device performance and ruggedness. Fea | Intersil |   | ||
60V, 10A Half Bridge Power MOSFET Array Features • Two 10A Power MOS N-Channel Transistors • Output Voltage to 60V • rDS(ON) . . . . . 0.135 Max Per Transistor at VGS = 15V • rDS(ON) . . . . . . 0.15 Max Per Transistor at VGS = 10V • Pulsed Current . . . . . . . . . . . . . . . 25A Each Transistor • Avalanche Energy. . . . . . . | RENESAS 瑞萨 | |
更新时间：2025-12-25 18:00:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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