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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Schottky Barrier Diode FEATURES ● Low forward voltage. ● Small package. APPLICATIONS ● High speed switching application. | BILIN 银河微电 |   | ||
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features ● Small Package ● Low Forward Voltage VF = 0.23V(TYP.) @IF = 5 mA | KEXIN 科信电子 | | ||
SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications | SEMTECH_ELEC 先之科半导体 | | ||
SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES ● High Speed ● High Reliability ● Small Package ● Low Forward Voltage APPLICATIONS ● High Speed Switching | HTSEMI 金誉半导体 | | ||
High Speed Switching Application 文件：201.31 Kbytes Page：3 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
1SS389(TL3,F,T)产品属性
- 类型
描述
- 型号
1SS389(TL3,F,T)
- 功能描述
肖特基二极管与整流器 Vr=10V Io=0.1A 2Pin
- RoHS
否
- 制造商
Skyworks Solutions, Inc.
- 产品
Schottky Diodes
- 峰值反向电压
2 V
- 正向连续电流
50 mA
- 配置
Crossover Quad
- 正向电压下降
370 mV
- 最大功率耗散
75 mW
- 工作温度范围
- 65 C to + 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOT-143
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TOSHIBA/东芝 |
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2019-11-16
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