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TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type

High Speed Switching Application ● Small package ● Low forward voltage: VF (3) = 0.54V (typ.) ● Low reverse current: IR = 5μA (typ.)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-3-14 19:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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