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DIODE(HGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION)

HighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.54V(typ.) ●Lowreversecurrent:IR=5μA(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

HighSpeedSwitchingDiode

FEATURES ●Lowforwardvoltage. ●Lowreversecurrent. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●High-speedswitchingapplication.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN

SILICONEPITAXIALSCHOTTKYBARRIERTYPE

FEATURES •Lowforwardvoltage:VF(3)=0.54V(typ.) •Lowreversecurrent:IR=5μA(typ.) •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree) APPLICATIONS •Case:SOD-523plastic •Terminals:SolderableperMIL-STD-750,M

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT

HIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION

Features ●SmallPackage ●LowForwardVoltage:VF(3)=0.54V(TYP.) ●LowReverseCurrent:IR=5Ìa(TYP.)

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

HighSpeedSwitchingApplication

文件:217.07 Kbytes Page:3 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-5-24 16:36:01
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TOSHIBA/东芝
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TOSHBIA
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