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1SS222-L

Silicon switching diode

NEC

瑞萨

SILICON SWITCHING DIODES

HIGH SPEED SWITCHING SILICON EPITAXIAL DIODES MINI MOLD Features ● Low capacitance:Ct = 4.0 pF MAX. ● High speed switching: trr = 3.0 ns MAX. ● Wide applications including switching, limitter clipper.

NEC

瑞萨

SILICON SWITCHING DIODES

HIGH SPEED SWITCHING SILICON EPITAXIAL DIODES MINI MOLD

RENESAS

瑞萨

SILICON SWITCHING DIODE

SILICON SWITCHING DIODE Features Low capacitance:Ct =4.0pFMAX. High speed switching: trr =3.0nsMAX. Wide applications including switching, limitter clipper.

KEXIN

科信电子

更新时间:2025-10-19 22:59:00
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