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Silicon Epitaxial Planar Type

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS. FEATURES: • Low Forward Voltage : Vf = 1.0V (Max.) • Small Total Capacitance : Ct = 2pF (Max.) • Fast Reverse Recovery Time : Trr = 2ns (Max.)

TOSHIBA

东芝

HIGH SPEED SWITCHING DIODE

FEATURES : • High switching speed: max. 4 ns • Continuous reverse voltage:max. 30 V • Repetitive peak reverse voltage:max. 35 V • Pb / RoHS Free

EIC

HIGH SPEED SWITCHING DIODES

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SUNMATE

森美特

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0.5A Axial Leaded High Speed Switching Diode

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SUNMATE

森美特

HIGH SPEED SWITCHING DIODE

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SYNSEMI

更新时间:2025-12-29 11:32:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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全新原装正品现货,支持订货
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