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位置：首页 > IC中文资料第1393页 > 1N5817M

1N5817M价格

参考价格：￥0.1950

型号：1N5817MT-I 品牌：DIODES 备注：这里有1N5817M多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，1N5817M批发/采购报价，1N5817M行情走势销售排行榜，1N5817M报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
1N5817M

1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

Features ●HighCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingforTransientProtection ●GlassPackageforHighReliability ●PackagedforSurfaceMountApplications

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
1N5817M

1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

文件：58.05 Kbytes Page：2 Pages

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
1N5817

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1AMPERE20,30and40VOLTS

AxialLeadRectifiers ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow–voltage,

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
1N5817

Schottkybarrierdiodes

DESCRIPTION The1N5817to1N5819typesareSchottkybarrierdiodesfabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinSOD81hermeticallysealedglasspackagesincorporatingImplotec™(1)technology. FEATURES •Lowswitchinglosses •Fastrecoverytime •Guardringprotected •Hermeticallys

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

1N5817

LOWDROPPOWERSCHOTTKYRECTIFIER

DESCRIPTION AxialPowerSchottkyrectifiersuitedforSwitchModePowerSuppliesandhighfrequencyDCtoDCconverters.PackagedinDO41thesedevicesareintendedforuseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,polarityprotectionandsmallbatterychargers. FEATURESANDBENEF

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
1N5817

1AMPERESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER(VOLTAGE-20to40VoltsCURRENT-1.0Ampere)

VOLTAGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,f

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT
1N5817

1AMPERESCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSVOLTAGE-20to40VoltsCURRENT-1.0Ampere?

Surge

Surge Components

Surge
1N5817M-13

1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

文件：58.05 Kbytes Page：2 Pages

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
1N5817M-13

封装/外壳：DO-213AB，MELF（玻璃） 包装：散装 描述：DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

1N5817M产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N5817M

  • 制造商

    Diodes Incorporated

1N5817M供应商更多...

更新时间：2025-6-3 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
1N5817M-13
VISHAY/威世
24+
NA/
6750
原装现货,当天可交货,原型号开票
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深圳市盈盛科创科技有限公司
1N5817M-13
DIODE
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LL41
20000
进口原装 假一罚十 现货
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深圳市永贝尔科技有限公司
1N5817PT
CHENMKO
23+
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19960
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深圳市振宏微科技有限公司
1N5817M
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NA
15659
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
1N5817M-13
Diodes Incorporated
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MELF
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深圳市联世界科技有限公司
1N5817M
GENERALSEMI
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733
原装正品现货库存价优
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深圳市华斯顿科技有限公司
1N5817M
25+23+
1WR
30042
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深圳市一线半导体有限公司
1N5817M
VISHAY/GeneralSemiconduc
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DO-213ABLL41
6200
新进库存/原装
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深圳市赛特兴科技有限公司
1N5817-MANQUANT
ST
23+
原厂原封
16900
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标准国际(香港)有限公司
1N5817M
ITT
5000
询价

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