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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
1N5712

SchottkyBarrierDiodesforGeneralPurposeApplications

Description The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcost glasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logorA-Dconv

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷伦科技安捷伦科技有限公司

HP
1N5712

SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES

FEATURES ◇Metal-to-siliconjunction ◇Highbreakdownvoltage ◇Lowturn-onvoltage ◇Ultrafastswitchingspeed ◇PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
1N5712

SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES

FEATURES •Metal-on-siliconjunction •Highbreakdownvoltage •Lowturn-onvoltage •Ultrafastswitchingspeed •PrimarilyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange •ThediodeisalsoavailableintheMiniMELFcasewithtypedesignationLL5

JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd

晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司

JINANJINGHENG
1N5712

SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT

SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5712

SchottkyBarrierDiodesforGeneralPurposeApplications

Description/Applications The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcostglasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

1N5712W供应商更多...

更新时间：2025-8-1 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
1N5712
MICROCHIP(美国微芯)
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DO35(DO204AH)
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深圳市金宏图电子科技有限公司
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Microchip Technology
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千层芯半导体(深圳)有限公司
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1N5712-1
MICROSEMI/美高森美
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深圳市振宏微科技有限公司
1N5712.TR
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富凯科技(深圳）有限公司
1N5712
Broadcom Limited
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DO-204AH,DO-35,轴向
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深圳市金嘉锐电子有限公司
1N5712
Avago
2025+
DO-35
32560
原装优势绝对有货
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