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位置：首页 > IC中文资料第651页 > 1N5525B

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
1N5525B

LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS

•1N5518-1THRU1N5546B-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •LOWNOISECHARACTERISTICS •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION •METALLURGICALLYBONDED

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

CDI-DIODE
1N5525B

0.4WLOWVOLTAGEAVALANCHEDIODES

FEATURES *Lowzenernoisespecified *Lowzenerimpedance *Lowleakagecurrent *Hermeticallysealedglasspackage

JGDJinan Gude Electronic Device

济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司

JGD
1N5525B

LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNTZENERDIODE,500mW

•1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5525B

0.5WZenerDiode

Features SharpReverseCharacteristics LowReverseCurrentLevels HighReliabilityGoldBackMetal HighReliabilityTestedGrades.

SS

Silicon Supplies

SS
1N5525B

封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
1N5525B

LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS

文件：114.68 Kbytes Page：2 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5525

LowVoltageAvalanche500mWZenerDiodesDO-35

FEATURES •LOWZENERNOISESPECIFIED •LOWZENERIMPEDANCE •LOWLEAKAGECURRENT •HERMETICALLYSEALEDGLASSPACKAGE •JAN/JANTX/JANTXVAVAILIBLEON1N5518-1TROUGH1N5546-1PERMIL-S-19500/437

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5525

0.4WLOWVOLTAGEAVALANCHEDIODES

FEATURES *Lowzenernoisespecified *Lowzenerimpedance *Lowleakagecurrent *Hermeticallysealedglasspackage

JGDJinan Gude Electronic Device

济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司

JGD
1N5525

LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNTZENERDIODE,500mW

•1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5525

LOWVOLTAGEAVALANCHEZENERDIODESHIGHPERFORMANCE:LOWNOISE,LOWLEAKAGE

LOWVOLTAGEAVALANCHEZENERDIODES HIGHPERFORMANCE:LOWNOISE,LOWLEAKAGE 1.PackageStyleDO-7 2.SuffixdenotesVztolerance:nonsuffix±20,Asuffix±10:Ir@Vr1,Vz,+Vfonly.SuffixB±5:Ir@Vr2,Vz,DVz,Vf,ND. 3.Measuredwith10,60HzACsuperimposedonIzt. 4.Measuredfrom

KNOX

Knox Semiconductor, Inc

KNOX
1N5525

LOWVOLTAGEAVALANCHEDIODESDO-35

FEATURES •LOWZENERNOISESPECIFIED •LOWZENERIMPEDANCE •LOWLEAKAGECURRENT •HERMETICALLYSEALEDGLASSPACKAGE •JAN/JANTX/JANTXVAVAILIBLEON1N5518-1TROUGH1N5546-1PERMIL-S-19500/437

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5525B-1

LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNTZENERDIODE,500mW

•1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5525B-1

LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS

•1N5518-1THRU1N5546B-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •LOWNOISECHARACTERISTICS •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION •METALLURGICALLYBONDED

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

CDI-DIODE
1N5525BUR

LowVoltageSurfaceMount500mWAvalancheDiodes

•1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5525BUR

LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNTZENERDIODE,500mW

•1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5525BUR-1

LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNTZENERDIODE,500mW

•1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5525B/TR

封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向 包装：卷带（TR） 描述：VOLTAGE REGULATOR 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
1N5525BUR-1

ZENERDIODE,500mW

文件：111.15 Kbytes Page：2 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

1N5525B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N5525B

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER, DO-35, SD - Bulk

1N5525B供应商更多...

更新时间：2025-7-31 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
1N5525BUR-1
MROSEMI/美高森美
24+
NA/
1197
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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1N5525B
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7300
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深圳市凯睿晟科技有限公司
1N5525BUR-1
MICROSEMI/美高森美
21+
SMD
120000
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千层芯半导体(深圳)有限公司
1N5525BUR-1JANTX
MICROSEMI
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1N5525B
MOT
N/A
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1N5525BUR-1
MICROSEMI/美高森美
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SMD
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中天科工半导体（深圳）有限公司
1N5525BUR-1
MICROCHIP/微芯
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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MSC
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深圳市永贝尔科技有限公司
1N5525B
CDI-DIODE
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艾睿（深圳）半导体有限公司
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MICROSEMI/美高森美
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