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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Very low on-resistance

文件:680.66 Kbytes Page:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-26 17:28:01
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