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RF Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching Features • Isolated Substrate − high isolation voltage (>2500V) − excellent thermal transfer − Increased temperature and power cycling capability • IXYS advanced low Qg process • Low gate charge and capa

IXYS

艾赛斯

更新时间:2025-11-1 23:00:01
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