时间：2019-9-5 18:37:00
现推出采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发的功率半导体器件，从而使功率 MOSFET 的导通电阻 [RDS(ON)] 和栅极电荷 (Qg) 显著降低。低导通电阻可降低传导损耗，还可降低输出电容中存储的能量，从而最大限度地降低开关损耗。低 Qg 在轻负载时具有更高的效率以及更低的栅极驱动要求。此外，这些 MOSFET 具有雪崩功能，并拥有出色的 dv/dt 性能。其导通电阻为正温度系数，它们可以并联工作，以满足更高的电流要求。
特性
低 RDS(on) 和低 Qg
dv/dt 稳健性
雪崩耐量
国际标准封装
应用
开关电源中的同步整流
电机控制（48 V 至 80 V 系统）
DC-DC 转换器
不间断电源
电动叉车
D 类音频放大器
电信系统
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Silicon Controlled Rectifier | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美半导体公司 |   | ||
-5 g to -50 g, Low Noise, Low Power, Single/Dual Axis iMEMS Accelerometers | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | | ||
-5 g to -50 g, Low Noise, Low Power, Single/Dual Axis iMEMS Accelerometers | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | | ||
-5 g to -50 g, Low Noise, Low Power, Single/Dual Axis iMEMS Accelerometers | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | | ||
1.0 AMPERE SILICON MINIATURE SINGLE- PHASE BRIDGES(VOLTAGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 1.5 Amperes) | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | ASI Advanced Semiconductor | | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | ASI Advanced Semiconductor | | ||
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | ||
1 AMP SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | FujiFujitsu Component Limited. 富士通富士通（中国）信息系统有限公司 | | ||
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI/德州仪器 | 24+ | NA/ | 10 | 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 | |||
24+ | TSSOP | 755 | 大批量供应优势库存热卖 | ||||
HARVATEK | 20+ | LED | 83000 | LED原装优势主营型号-可开原型号增税票 | |||
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SwitchcraftInc | 24+ | 305 | |||||
MEI | 2729 | ||||||
Curtis Industries | 23+ | 原厂封装 | 916 | 只做原装只有原装现货实报 | |||
TI | 23+ | TSSOP | 7000 | ||||
TI/德州仪器 | 2447 | CAN4 | 100500 | 一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
