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N-channel 68 V, 0.0055 Ω typ., 110 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in a TO-220 package

Features • Very low on-resistance • Very low gate charge • High avalanche ruggedness • Low gate drive power loss Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. Th

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-27 14:26:01
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