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N-channel68V,0.0055Ωtyp.,110A,STripFET™F6PowerMOSFETinaTO-220package

Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET™F6technology withanewtrenchgatestructure.Th

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2025-7-29 9:40:01
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