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Low gate drive power losses

Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages. Features • RDS(on) * Qg industry benchmark • Extremely low on-resistance

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Low gate drive power losses

Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages. Features • RDS(on) * Qg industry benchmark • Extremely low on-resistance

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:318.47 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.69639 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-10-22 20:00:01
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