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Lowgatedrivepowerlosses

Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthe6thgenerationofSTripFET™DeepGATE™technology,withanewgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. Features •RDS(on)*Qgindustrybenchmark •Extremelylowon-resistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

Lowgatedrivepowerlosses

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

IscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:318.47 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:1.69639 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-17 18:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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