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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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VFT1060C-M3-4W | DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABand | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABand | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABand | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VFT1060C-M3-4W产品属性
- 类型
描述
- 型号
VFT1060C-M3-4W
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TO-220F |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
|||||
N/A |
CAN |
3 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
N/A |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
|||||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
ASI |
23+ |
260 |
现货供应 |
||||
ASI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
N/A |
2023+ |
CAN |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
ASI |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
Vishay General Semiconductor - |
24+ |
TO-220-3 全封装,隔离接片 |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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2019-9-25
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