型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

DC-DCConverters

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

TK60P03M1,RQ(S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TK60P03M1,RQ(S

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-13 17:02:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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