时间：2020-2-26 10:56:00
规格
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 Ohms
Pd-功率耗散: 35 W
配置: Single
商标名: MOSVII
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK4A65DA
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
单位重量: 6 g
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Bipolar Small-Signal Transistors | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |  |   | |
SiC Schottky Barrier Diode | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA | 15+ | TO-220F | 3473 | 一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 | |||
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