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TK3R1E04PL

High-EfficiencyDC-DCConverters

Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=17.5nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=42nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.5mΩ(typ.)(VGS=10V) (5)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=40V) (6)Enhancementmode:Vth=1.4to2.4

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
TK3R1E04PL

iscN-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=3.1mΩ(MAX)(VGS=10V) •Enhancementmode: Vth=1.4to2.4V(VDS=10V,ID=0.5mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliab

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-3 18:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
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TO2523
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TOSHIBA 光耦 集成电路
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