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TK3P80E

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.9Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.3mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
TK3P80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:320.66 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Motorcircuitbreaker,TeSysGV3,3P,56-80A,thermalmagnetic,screwclampterminals

文件:182.22 Kbytes Page:3 Pages

SCHNEIDERSchneider electric

施耐德施耐德电气

SCHNEIDER
更新时间:2024-6-3 18:30:00
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    TO-92-3MOSFET,1ChannelP-ChannelAEC-Q10120VMOSFET,ThroughHole1ChannelN-Channel100VMOSFET,TO-252-3P-Channel150VMOSFET,TO-220-3MOSFETP-Channel60VMOSFET,2ChannelN-Channel10A20VMOSFET

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