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MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS??H)

1.Applications •Automotive •MotorDrivers •SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=8.2mΩ(typ.)(VGS=10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=100V) (4)Enhancementmode:Vth=1.5to2.5V(VDS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS-H)

1.Applications •Automotive •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=8.2mΩ(typ.)(VGS=10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=100V) (4)Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-15 10:59:01
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