型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TK30A06J3

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件:2.13845 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

SwitchingRegulatorApplications ●Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=19mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=34S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) ●Enhancementmode:Vth=1.3to2.5V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件:2.14023 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

TK30A06J3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TK30A06J3

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V, 30A, RDSON=0.026OHM - Rail/Tube

更新时间:2024-5-17 18:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

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