位置：首页 > IC中文资料第5303页 > TK18E10K3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TK18E10K3 | BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |  |   |
TK18E10K3 | iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：338.44 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
TK18E10K3 | N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：942.05 Kbytes Page：3 Pages | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |  | |
封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：338.44 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
TK18E10K3产品属性
- 类型
描述
- 型号
TK18E10K3
- 功能描述
MOSFET N-Ch MOS 18A 100V 71W 0.042 Ohm
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
东芝 |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
TOSHIBA |
21+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
TOSHIBA |
2023+ |
TO-220 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
23+ |
N/A |
46280 |
正品授权货源可靠 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
21+ |
TO220 |
6000 |
全新原装 公司现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
NA/ |
3360 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
Toshiba |
23+ |
TO-TO-220AB |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
TOSHIBA |
10+ |
TO-220 |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO220 |
6000 |
进口原装房间现货实库实数 |
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2020-2-26TK150E09NE深圳市光华微科技有限公司18138231376
TK150E09NETOSHIBA/东芝TO-220
2019-6-26
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