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STS5DP3LLH6

DualP-channel-30V,48mΩtyp.,-5A,STripFET™H6PowerMOSFETinanSO-8package

Features Verylowon-resistance Verylowgatecharge Highavalancheruggedness Lowgatedrivepowerloss Applications Switchingapplications Description ThisdeviceisaP-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET™H6technology withanewtrenchgatestructure.The

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2024-5-26 20:00:00
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21+
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