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STP7NB40	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,ex	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP7NB40FP	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,ex	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STB7NB40	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnology,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMosfetswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,exceptionala	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGB7NB40LZ	N-CHANNELCLAMPED14A-D2PAKINTERNALLYCLAMPEDPowerMESH??IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thebuiltincollector-gatezenerexhibitsaverypreciseactiveclampingwhilethegate-emitter	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STB7NB40	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.10785 Mbytes Page：10 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

STP7NB40产品属性

类型
描述
型号
STP7NB40
功能描述
MOSFET N-Ch 400 Volt 7 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-22 11:38:00

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