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STB7NB40	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnology,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMosfetswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,exceptionala	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STB7NB40	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.10785 Mbytes Page：10 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
STGB7NB40LZ	N-CHANNELCLAMPED14A-D2PAKINTERNALLYCLAMPEDPowerMESH??IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thebuiltincollector-gatezenerexhibitsaverypreciseactiveclampingwhilethegate-emitter	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP7NB40	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,ex	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP7NB40FP	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,ex	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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更新时间：2024-6-3 20:54:00

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2023-11-24
STBR3012G2Y-T
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2022-12-14
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STBC08PMR电池充电管理芯片ST封装DFN6
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2021-9-18

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