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STD2NB80

N-CHANNEL800V-4.6ohm-1.9A-IPAK/DPAKPowerMESHMOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAYprocess,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

STD2NB80产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD2NB80

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-27 23:00:00
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