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STD2HNK60Z数据表
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 11 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
系列: STD2HNK60Z
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
宽度: 6.2 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 1.5 S
下降时间: 50 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 4 g
