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芯片资料

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IXFH11N80	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodrive	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFH11N80	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFM11N80	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodrive	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
11N80	11A,812VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：165.26 Kbytes Page：4 Pages	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
HFP11N80Z	800VN-ChannelMOSFET 文件：266.71 Kbytes Page：10 Pages	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.

SPA11N80CA供应商更多...

更新时间：2024-6-3 14:39:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	IXFM13N50	IXYS	02+	TO-3	536		询价
无锡固电半导体股份有限公司	IXFM11N80	isc	2024	TO-3	200	国产品牌isc,可替代原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IXFM12N95		21+ROHS		10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价

SP8K24-TB
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2021-10-20
SP706RCU-L
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2020-11-13
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2019-12-16
SPB17N80C3BSZ520N15NS3G特价热销
SPB17N80C3BSZ520N15NS3G电信，供电系统
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SPA07N60C3
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2019-4-24
SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点•新的革命高电压技术•内在的快速恢复体二极管•极低的反向恢复电荷•超低栅极电荷•至尊的dv/dt的额定•高峰值电流能力•定期雪崩额定•合格的为工业级应用根据JEDEC0）•无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10