SIA429DJT-T1-GE3价格

参考价格:¥1.1558

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SIA429DJT-T1-GE3

P-Channel20V(D-S)MOSFET

文件:1.25257 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
SIA429DJT-T1-GE3

P-Channel20V(D-S)MOSFET

文件:320.32 Kbytes Page:10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SIA429DJT-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIA429DJT-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET P-Channel 20 V(D-S)

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-30 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
2020+
DFN2*2
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
VISHAY
21+
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1005
原装现货。假一赔十
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Vishay(威世)
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进口原装正品优势供应QQ3171516190
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
Vishay Siliconix
24+
PowerPAK? SC-70-6
30000
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