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SIA429DJT-T1-GE3中文资料
SIA429DJT-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIA429DJT-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET P-Channel 20 V(D-S)
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-4-30 18:26:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
23+ |
PowerPAK? SC-70-6 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
VISHAY |
2020+ |
QFN6 |
18600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
VISHAY/威世 |
20+ |
QFN2X2-6 |
5500 |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
|||
VISHAY/威世 |
2022+ |
QFN |
626 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
Vishay(威世) |
2249+ |
PowerPAK SC-70-6 |
59287 |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
|||
VISHAY(威世) |
23+ |
PowerPAK-SC-70-6 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
VISHAY |
2017+ |
QFN |
54789 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
VISHAY |
2014+ |
QFN6 |
1005 |
现货原装库存热卖 |
|||
VISHAY |
16+ |
QFN6 |
8800 |
进口原装大量现货热卖中 |
|||
Vishay |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
SIA429DJT-T1-GE3 价格
参考价格：￥1.1558
型号：SIA429DJT-T1-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SIA429DJT-T1-GE3多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIA429DJT-T1-GE3批发/采购报价，SIA429DJT-T1-GE3行情走势销售排排榜，SIA429DJT-T1-GE3报价。
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- KAE-02152-FBB-SP-FA
- LCM-S01602DTF-M-1
- LCM-S02004DSF-F
- M2122NCFG03-B
- M2122RCFG03-B
- MSB40G
- PE11S1002
- PE34701LF
- PE34705LF
- PE34716-48
- PE39434-24
- PE6TR1037
- PE6TR1042
- PHFM207
- R2016A
- RVD-10V102MH10U-R2
- RVD-35V330MF61UQ-R2
- SIA431DJ-T1-GE3
- SID04N60SL
- SID04N65SL
- TMBF310
VBSEMI相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9545条
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